| 发明名称 | AMR MEMS制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种AMR（Anisotropic Magneto-resistance）MEMS制造方法。本发明的AMR MEMS制造方法包括：在硅片上直接形成SiN膜层；在SiN膜层上直接形成AMR材料层；在AMR材料层上直接形成金属层；刻蚀金属层以在金属层中形成凹槽；针对所述凹槽的位置刻蚀AMR材料层；沉积SiN覆盖层，并且对所述凹槽两侧的金属层上的SiN覆盖层进行刻蚀以形成金属凹槽，并在金属凹槽中填充金属以形成接触孔连接金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN103420328A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201310385749.8 | 申请日期 | 2013.08.29 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 王俊杰 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种AMR MEMS制造方法，其特征在于包括：在硅片上直接形成氧化膜和SiN膜层；在SiN膜层上直接形成AMR材料层；在AMR材料层上直接形成金属层；刻蚀金属层以在金属层中形成凹槽；针对所述凹槽的位置刻蚀AMR材料层；沉积SiN覆盖层，并且对所述凹槽两侧的金属层上的SiN覆盖层进行刻蚀以形成金属凹槽，并在金属凹槽中填充金属以形成接触孔连接金属层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||