发明名称 |
混合集成的构件 |
摘要 |
提出一种具有MEMS构造元件和ASIC构造元件的混合集成构件,其微机械功能基于电容探测原理和激励原理。MEMS构造元件的功能性在半导体衬底上的层结构中实现。MEMS构造元件的层结构包括半印制导线层面和功能层,在该功能层中MEMS构造元件的微机械结构构造有可偏转结构元件。印制导线层面一方面通过绝缘层相对于半导体衬底绝缘、另一方面通过绝缘层相对于功能层绝缘。ASIC构造元件面朝下安装在MEMS构造元件的层结构上并且对于MEMS构造元件的微机械结构起盖的作用。根据本发明,MEMS构造元件的可偏转结构元件构造有电容装置的电极。在MEMS构造元件的印制导线层面中构造有电容装置的固定反电极,ASIC构造元件包括电容装置的另外的反电极。 |
申请公布号 |
CN103420324A |
申请公布日期 |
2013.12.04 |
申请号 |
CN201310177825.6 |
申请日期 |
2013.05.14 |
申请人 |
罗伯特·博世有限公司 |
发明人 |
J·克拉森;J·弗莱 |
分类号 |
B81B7/02(2006.01)I;G01P15/125(2006.01)I;G01C19/5733(2012.01)I;H01L23/50(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I |
主分类号 |
B81B7/02(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
侯鸣慧 |
主权项 |
构件(100),具有至少一个MEMS构造元件(10)并具有至少一个ASIC构造元件(20),其中,所述MEMS构造元件(10)的功能性在半导体衬底(1)上的层结构中实现,其中,所述MEMS构造元件(10)的所述层结构包括至少一个半印制导线层面(3)和至少一个功能层(5),在所述功能层中所述MEMS构造元件(10)的微机械结构构造有至少一个可偏转的结构元件(11),其中,所述印制导线层面(3)一方面通过至少一个绝缘层(2)相对于所述半导体衬底(1)绝缘,另一方面通过至少一个绝缘层(4)相对于所述功能层(5)绝缘,其中,所述ASIC构造元件(20)面朝下安装在所述MEMS构造元件(10)的所述层结构上并且对于所述MEMS构造元件(10)的微机械结构起到盖的作用;其特征在于,所述MEMS构造元件(10)的所述可偏转的结构元件构造有一电容装置的至少一个电极,在所述MEMS构造元件(10)的所述印制导线层面(3)中构造有所述电容装置的至少一个固定的反电极(32),所述ASIC构造元件(20)包括所述电容装置的至少一个另外的反电极(611)。 |
地址 |
德国斯图加特 |