| 发明名称 | 阵列基板及显示装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，减小了薄膜晶体管单元的导电沟道的沟道长度，同时提高了像素的开口率。该阵列基板包括：衬底基板及位于所述衬底基板之上的多个薄膜晶体管单元，其中，所述薄膜晶体管单元包括：位于所述衬底基板之上的第一栅极，位于所述第一栅极之上的栅极绝缘层，与第一栅极同层设置的漏极，位于所述漏极之上的有源层，位于有源层之上的源极，所述衬底基板与同层设置的第一栅极及漏极之间设置有第一透明导电层，所述第一栅极及其下方的第一透明导电层与漏极及其下方的第一透明导电层之间设置有栅绝缘层。 | ||
| 申请公布号 | CN203324617U | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201320398431.9 | 申请日期 | 2013.07.05 |
| 申请人 | 北京京东方光电科技有限公司 | 发明人 | 李婧;张文余;张家祥 |
| 分类号 | G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1362(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板及位于所述衬底基板之上的多个薄膜晶体管单元，其中，所述薄膜晶体管单元包括：位于所述衬底基板之上的第一栅极，位于所述第一栅极之上的栅极绝缘层，与第一栅极同层设置的漏极，位于所述漏极之上的有源层，位于有源层之上的源极，所述衬底基板与同层设置的第一栅极及漏极之间设置有第一透明导电层，所述第一栅极及其下方的第一透明导电层与漏极及其下方的第一透明导电层之间设置有栅绝缘层。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京市经济技术开发区西环中路8号 | ||