发明名称 双磁路多信号模式位置传感器
摘要 双磁路多信号模式位置传感器。光电器件使用寿命不长,限制了光电编码器的使用寿命。本实用新型组成包括:外壳(4),所述的外壳安装支架(2)上,所述的外壳端盖(9)下端安装有电路板(11),所述的电路板下方安装有线性霍尔传感器(8)和圆盘形铁芯(10),所述的外壳下端通过轴承(3)安装有中空轴(1),所述的中空轴上方安装有两极圆柱形磁钢(12),所述的轴承上端安装有磁屏蔽装置(13),所述的磁屏蔽装置外侧的8极环形磁钢(7)的外侧安装有环形铁芯(5),所述的8极环形磁钢与环形铁芯中间安装有开关霍尔传感器(6)。本实用新型用于电动机角位置及角速度检测。
申请公布号 CN203326821U 申请公布日期 2013.12.04
申请号 CN201320334679.9 申请日期 2013.06.10
申请人 哈尔滨理工大学 发明人 吕德刚;高旭东;邢丽
分类号 H02K11/00(2006.01)I 主分类号 H02K11/00(2006.01)I
代理机构 哈尔滨东方专利事务所 23118 代理人 陈晓光
主权项 一种双磁路多信号模式位置传感器,其组成包括:外壳,其特征是:所述的外壳安装支架上,所述的外壳端盖下端安装有电路板,所述的电路板下方安装有线性霍尔传感器和圆盘形铁芯,所述的外壳下端通过轴承安装有中空轴,所述的中空轴上方安装有两极圆柱形磁钢,所述的轴承上端安装有磁屏蔽装置, 所述的磁屏蔽装置外侧的8极环形磁钢的外侧安装有环形铁芯,所述的8极环形磁钢与环形铁芯中间安装有开关霍尔传感器。
地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号哈尔滨理工大学