| 发明名称 | 一种多线切割硅片的进刀方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种多线切割硅片的进刀方法，该方法是在启动多线切割机切割硅片以及进刀时，先将切割钢线设置成单向走线；在硅片切割到一定深度0.2mm～0.3mm时，停止多线切割，将切割钢线单向走线转换成双向走线。采用本发明，可以先单向走线进行定位，防止双向走线中回线产生偏差，能有效的消除硅片进刀口厚薄不均和毛边现象，能提高硅片切割的正品率。 | ||
| 申请公布号 | CN103419290A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201210162055.3 | 申请日期 | 2012.05.23 |
| 申请人 | 浙江锦锋光伏科技有限公司 | 发明人 | 余志刚;程佑富 |
| 分类号 | B28D5/04(2006.01)I | 主分类号 | B28D5/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人 | 林蜀 |
| 主权项 | 一种多线切割硅片的进刀方法，其特征在于在启动多线切割机切割硅片以及进刀时，先将切割钢线设置成单向走线；在硅片切割到一定深度0.2mm～0.3mm时，停止多线切割，将切割钢线单向走线转换成双向走线。 | ||
| 地址 | 324300 浙江省衢州市开化县生态工业园区园一路17号（锦锋） | ||