功率半导体元件及其边缘终端结构

摘要

本发明提供一种沟槽式功率半导体元件及边缘终端结构，该边缘终端结构包括一基板、分别位在基板的表面和背面的第一与第二电极、一第一场板与一第二场板。沟槽式功率半导体元件包括一有源区与一边缘终端区，且在有源区旁的边缘终端区的基板表面具有一沟槽。第一场板则是设置于上述沟槽的侧壁并往其尾部延伸，且第一场板至少包括一L形电板、位于L形电板底下的一栅极绝缘层以及L形电板上的第一电极。第二场板至少包括一绝缘层与其上方的第一电极，其中绝缘层是覆盖沟槽的尾部并至少延伸覆盖L形电板的尾端。

主权项

一种沟槽式功率半导体元件的边缘终端结构，其特征在于，所述沟槽式功率半导体元件包括一有源区与一边缘终端区，而所述边缘终端结构包括：一基板，在该有源区旁的该边缘终端区的该基板的表面具有一沟槽；一第一电极，位于该基板的该表面；一第二电极，配置在该基板的背面；一第一场板，设置于该沟槽的侧壁并往该沟槽的尾部延伸，且该第一场板至少包括一L形电板、位于该L形电板底下的一栅极绝缘层以及该L形电板上的该第一电极；以及一第二场板，至少包括一绝缘层与该绝缘层上方的该第一电极，其中该绝缘层覆盖该沟槽的该尾部并至少延伸覆盖该L形电板的尾端。