发明名称 |
一种单层MoS<sub>2</sub>纳米片溶液的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种单层MoS2纳米片溶液的制备方法,该方法包括以下步骤:称量MoS2粉末置于吡咯烷酮类溶剂中,磁力搅拌后,转入水热反应釜中进行水热预处理;向经过水热预处理的溶液加入表面活性剂,通过超声粉碎机进行超声剥离,然后将得到的溶液进行离心处理;取上层清液即为单层MoS2纳米片溶液。与现有技术使用MoS2与烷基锂反应后进行超声剥离得到单层MoS2纳米片溶液相比较,本发明中使用的有机溶剂对环境不敏感,而且整个制备周期短,得到的单层MoS2纳米片分散性与稳定性更好,成本也较低。 |
申请公布号 |
CN102583547B |
申请公布日期 |
2013.12.04 |
申请号 |
CN201210057757.5 |
申请日期 |
2012.03.07 |
申请人 |
长安大学 |
发明人 |
阎鑫;赵鹏;艾涛 |
分类号 |
C01G39/06(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
C01G39/06(2006.01)I |
代理机构 |
西安恒泰知识产权代理事务所 61216 |
代理人 |
李婷 |
主权项 |
一种单层MoS2纳米片溶液的制备方法,其特征在于:该方法包括以下步骤: 1)选取N‑甲基吡咯烷酮、N‑乙烯基吡咯烷酮、N‑辛基吡咯烷酮、N‑十二烷基吡咯烷酮、N‑环己基吡咯烷酮、二甲基咪唑烷酮其中一种作为溶剂,向所选择的溶剂中加入MoS2粉体,其中MoS2粉体在溶剂的浓度为0.5~1.5mg/mL,然后将混合的溶液磁力搅拌30min,移入水热反应釜; 2)将上述反应釜置于烘箱80~120℃,反应时间6~8h,得到前驱体溶液; 3)取出经过水热处理的前驱体溶液,向前驱体溶液中加入表面活性剂,其中表面活性剂与前驱体溶液的质量百分比为1%~4%,然后将加入表面活性剂的前驱体溶液采用超声粉碎机进行超声粉碎,超声功率180~300W,超声时间1~2h; 4)将经过超声剥离的溶液进行离心处理1~2h,离心机转速800~1500rpm,取上层清液即可得到单层MoS2纳米片溶液。 |
地址 |
710064 陕西省西安市南二环中段 |