| 发明名称 | 具有提高的切换速度及提高的交叉控制及增加的输出电压的互补达林顿射极跟随器 | ||
| 摘要 | 在一个实施例中，一种设备包括第一晶体管，其中所述第一晶体管的基极耦合到输入端子。提供第二晶体管，其中所述第一晶体管的射极耦合到所述第二晶体管的基极且所述第二晶体管的射极耦合到输出节点。提供第三晶体管，其中所述第三晶体管的基极耦合到输入节点。提供第四晶体管，其中所述第三晶体管的射极耦合到所述第四晶体管的基极且所述第四晶体管的射极耦合到所述输出节点且所述第二晶体管的基极耦合到所述第四晶体管的基极。所述第二晶体管的基极通过短路连结耦合到所述第四晶体管的基极。 | ||
| 申请公布号 | CN103430310A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201180061402.7 | 申请日期 | 2011.12.19 |
| 申请人 | 达尔捷特科半导体有限公司 | 发明人 | 大卫·尼尔·凯西 |
| 分类号 | H01L27/082(2006.01)I;H03F3/343(2006.01)I;H03K17/04(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/082(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 容春霞 |
| 主权项 | 一种设备，其包含:第一晶体管，其具有基极、射极及集极，其中所述第一晶体管耦合到输入节点;第二晶体管，其具有基极、射极及集极，其中所述第一晶体管耦合到所述第二晶体管的所述基极且所述第二晶体管耦合到输出节点;第三晶体管，其具有基极、射极端及集极，其中所述第三晶体管耦合到所述输入节点;及第四晶体管，其具有基极、射极及集极，其中所述第三晶体管耦合到所述第四晶体管的所述基极且所述第四晶体管耦合到所述输出节点，其中所述第二晶体管的所述基极通过短路连结耦合到所述第四晶体管的所述基极。 | ||
| 地址 | 英国奥尔德姆 | ||