| 发明名称 | 非易失性存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非易失性存储器件及其制造方法，所述非易失性存储器件包括：单元串，每个单元串包括在衬底之上的多个存储器单元，所述单元串沿一方向延伸；沟道层，所述沟道层与单元串的一侧和另一侧连接，沿与衬底相垂直的另一方向延伸；选择栅电极，所述选择栅电极位于单元串之上，包围所述沟道层的侧表面，栅电介质层插入在它们之间；以及导线，所述导线与沟道层的上端部连接。 | ||
| 申请公布号 | CN103426886A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201210385773.7 | 申请日期 | 2012.10.12 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 李南宰 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 周晓雨;俞波 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器件，包括：单元串，每个单元串包括在衬底之上的多个存储器单元，所述单元串沿一方向延伸；沟道层，所述沟道层与所述单元串的一侧和另一侧连接，沿与所述衬底相垂直的另一方向延伸；选择栅电极，所述选择栅电极位于所述单元串之上，包围所述沟道层的侧表面，栅电介质层插入在所述选择栅电极和所述沟道层的侧表面之间；以及导线，所述导线与所述沟道层的上端部连接。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||