氮化镓层的制造方法及该方法中使用的晶种基板

摘要

使用晶种基板、通过助熔剂法制造氮化镓层。晶种基板(8A)具备：支撑基板(1)、互相分离的多个晶种层(4A)、设置于晶种层(4A)与支撑基板之间的低温缓冲层(2)以及露出于邻接的晶种层(4A)的间隙的露出层(3)，所述多个晶种层由氮化镓单晶构成，所述低温缓冲层由第13族金属氮化物构成，所述露出层由氮化锅单晶或氮化铝镓单晶构成。在晶种层上通过助熔剂法培养氮化镓层。

主权项

一种氮化镓层的制造方法，是使用晶种基板、通过助熔剂法制造氮化镓层的方法，其特征在于，所述晶种基板具备：支撑基板、互相分离的多个晶种层、设置于所述晶种层与所述支撑基板之间的低温缓冲层以及露出于邻接的所述晶种层的间隙的露出层，所述多个晶种层由氮化镓单晶构成，所述低温缓冲层由第13族金属氮化物构成，所述露出层由氮化铝单晶或氮化铝镓单晶构成，在所述晶种层上通过助熔剂法培养氮化镓层。