后段制程中双重图形化方法

摘要

本发明提供一种后段制程中双重图形化方法，包括：在半导体衬底上依次形成介质层和硬掩膜层；形成第一图案化的光刻胶，第一图案化的光刻胶所曝光的图案包括若干规则排列的转角图案；刻蚀所述硬掩膜层以形成第一沟槽；形成第二图案化的光刻胶，第二图案化的光刻胶所曝光的图案包括若干规则排列的直线图案；刻蚀所述硬掩膜层以形成第二沟槽；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述介质层，形成互连金属线沟槽；在所述互连金属线沟槽中填充形成互连金属线。本发明后段制程中双重图形化方法更易于进行对准误差尺寸，从而能够在具有转角图案的后段工艺制程中提高了对准精度。

主权项

一种后段制程中双重图形化方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成介质层和硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成第一图案化的光刻胶，所述第一图案化的光刻胶所曝光的图案包括若干规则排列的转角图案；以所述第一图案化的光刻胶为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，直至暴露所述介质层，去除所述第一图案化的光刻胶以形成第一沟槽；在所述硬掩膜层及所述暴露的介质层上形成第二图案化的光刻胶，所述第二图案化的光刻胶所曝光的图案包括若干规则排列的直线图案；以所述第二图案化的光刻胶为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，直至暴露所述介质层，去除所述第二图案化的光刻胶以形成第二沟槽；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述介质层，形成互连金属线沟槽；以及在所述互连金属线沟槽中填充形成互连金属线。