| 发明名称 | 氧化物薄膜晶体管、其制造的方法、具有其的显示器件及该显示器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种氧化物薄膜晶体管(TFT)、制造该TFT的方法、具有该TFT的显示器件以及制造该显示器件的方法。所述氧化物薄膜晶体管包括形成在基板上的栅极；形成在包括栅极的基板的整个表面上的栅绝缘层；在栅极上方，于栅绝缘层上形成且完全覆盖栅极的有源层图案；形成在有源层图案和栅绝缘层上的蚀刻终止层图案，以及在包括蚀刻终止层图案和有源层图案的栅绝缘层上形成且彼此间隔开并覆盖蚀刻终止层图案的两侧和下面的有源层图案的源极和漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN103427023A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201210585093.X | 申请日期 | 2012.12.28 |
| 申请人 | 乐金显示有限公司 | 发明人 | 徐铉植;金汶九;金峰澈;李政训;柳昌逸 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国;钟强 |
| 主权项 | 一种氧化物薄膜晶体管，包括：形成在基板上的栅极；形成在包括栅极的基板的整个表面上的栅绝缘层；在栅极上方，于栅绝缘层上形成且完全覆盖栅极的有源层图案；形成在有源层图案和栅绝缘层上的蚀刻终止层图案，以及在包括蚀刻终止层图案和有源层图案的栅绝缘层上形成且彼此间隔开并覆盖蚀刻终止层图案的两侧和下面的有源层图案的源极和漏极。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||