| 发明名称 | 场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种场效应晶体管。根据本发明的场效应晶体管包括：硅衬底，该硅衬底具有不大于0.02Ω·cm的电阻率；沟道层，该沟道层被形成在硅衬底上并且具有至少5μm的厚度；阻挡层，该阻挡层被形成在沟道层上并且给沟道层提供电子；二维电子气层，通过沟道层和阻挡层之间的异质结形成该二维电子气层；源电极和漏电极，该源电极和漏电极均与阻挡层形成欧姆接触；以及栅电极，该栅电极被形成在源电极和漏电极之间，并且与阻挡层形成肖特基势垒结。 | ||
| 申请公布号 | CN101894863B | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201010178281.1 | 申请日期 | 2010.05.11 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 竹中功;麻埜和则;石仓幸治 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H03F3/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 孙志湧;穆德骏 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管，包括：硅衬底，所述硅衬底具有至少0.001Ω·cm并且不大于0.02Ω·cm的电阻率；沟道层，所述沟道层被形成在所述硅衬底上并且具有至少5μm的厚度；阻挡层，所述阻挡层被形成在所述沟道层上并且给所述沟道层提供电子；二维电子气层，由所述沟道层和所述阻挡层之间的异质结形成所述二维电子气层；源电极和漏电极，所述源电极和漏电极每个均与所述阻挡层形成欧姆接触；以及栅电极，所述栅电极被形成在所述源电极和漏电极之间，并且与所述阻挡层形成肖特基势垒结。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||