| 发明名称 | 包括第一和第二半导体材料的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括具有第一半导体材料的第一半导体区。半导体器件进一步包括与第一半导体区邻接的第二半导体区。第二半导体区包括不同于第一半导体材料的第二半导体材料。半导体器件进一步包括第一半导体区中的漂移或基极区。半导体器件进一步包括第二半导体区中的发射极区。第二半导体区包括至少一种深能级掺杂剂。该至少一种深能级掺杂剂的溶解度在第二半导体区高于第一半导体区。 | ||
| 申请公布号 | CN103426909A | 申请公布日期 | 2013.12.04 |
| 申请号 | CN201210279823.3 | 申请日期 | 2012.08.07 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 弗朗茨·约瑟夫·尼德尔诺什特海德;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;斯特凡·福斯 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;李慧 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：包括第一半导体材料的第一半导体区；与所述第一半导体区邻接的第二半导体区，其中，所述第二半导体区包括不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料；所述第一半导体区中的漂移或基极区；所述第二半导体区中的发射极区；其中，所述第二半导体区进一步包括至少一种深能级掺杂剂，该深能级掺杂剂的溶解度在所述第二半导体区中高于在所述第一半导体区中。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||