半导体装置及其制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及制备方法，该半导体装置包含一基材、一字元线、一绝缘材料，以及一蚀刻停止材料。基材包含一柱体，且该柱体包含一有源区。字元线形成于基材上。绝缘材料形成于字元线上。蚀刻停止材料形成于绝缘材料上并围绕着柱体。蚀刻停止材料可在蚀刻工艺中保护绝缘材料，而可避免发生短路或降低装置性能等问题。

主权项

一种半导体装置，包含：一基材，包含一柱体，该柱体包含一有源区；一字元线，形成于该基材上；一绝缘材料，形成于该字元线上；以及一蚀刻停止材料，形成于该绝缘材料上并围绕着该柱体。