发明名称 |
可控氧化硅去除速率的化学机械抛光液 |
摘要 |
本发明公开了一种用于氧化硅介电材料的化学机械抛光液,此化学机械抛光液以抛光液总重量为基准,包含下列重量百分比的原料组分:氧化硅抛光颗粒0.2-30wt%;表面活性剂0.01-4wt%;有机添加剂0.01-5wt%;pH调节剂和水性介质为余量;所述化学机械抛光液的pH值范围为9-12。本发明的化学机械抛光液氧化硅薄膜去除速率可控,可满足半导体应用中氧化硅介电材料在CMP工艺中的要求。 |
申请公布号 |
CN102268224B |
申请公布日期 |
2013.12.04 |
申请号 |
CN201010189145.2 |
申请日期 |
2010.06.01 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
王良咏;宋志棠;刘波;刘卫丽;封松林 |
分类号 |
C09G1/02(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I |
主分类号 |
C09G1/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
许亦琳;余明伟 |
主权项 |
1.一种用于氧化硅介电材料的化学机械抛光液,此化学机械抛光液以抛光液总重量为基准,原料组分的重量百分比为:<img file="FDA0000363598430000011.GIF" wi="723" he="393" />所述化学机械抛光液的pH值范围为9-12;所述化学机械抛光液中不含氧化剂;所述有机添加剂为赖氨酸;所述的表面活性剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚、聚丙烯酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯和十六烷基三甲基溴化铵;所述水性介质为去离子水;所述pH调节剂选自硝酸、磷酸、氢氧化钾、羟乙基乙二氨、四甲基氢氧化氨和氨水。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |