半导体装置及其制造方法

摘要

本发明之一目的为制造包括电气特性为稳定的薄膜电晶体之高度可靠半导体装置。覆盖薄膜电晶体之氧化物半导体层的绝缘层含有硼元素或铝元素。含有硼元素或铝元素之绝缘层系由使用含有硼元素或铝元素之矽靶材或氧化矽靶材的溅镀方法所形成。替代地，含有取代硼元素之锑(Sb)元素或磷(P)元素的绝缘层覆盖薄膜电晶体之氧化物半导体层。