发明名称 场发射阴极结构及其制备方法
摘要 本发明提供一种场发射阴极结构,其包括:一第一奈米碳管结构及一第二奈米碳管结构设置于所述第一奈米碳管结构的表面,该第二奈米碳管结构包括复数第二奈米碳管,且所述第二奈米碳管基本垂直于第一奈米碳管结构表面排列,其中,所述第二奈米碳管结构在远离所述第一奈米碳管结构表面的一端形成至少一尖端,所述第二奈米碳管结构中的复数第二奈米碳管的长度沿远离所述尖端的顶端的方向逐渐缩短。本发明进一步提供一种所述场发射阴极结构的制备方法。
申请公布号 TWI417923 申请公布日期 2013.12.01
申请号 TW099146722 申请日期 2010.12.29
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 新北市土城区自由街2号 发明人 柳鹏;范守善
分类号 H01J29/04;H01J9/02 主分类号 H01J29/04
代理机构 代理人
主权项
地址 新北市土城区自由街2号