ＩＢ－IIIＡ－ＶＩＡ2化合物半导体薄膜之制造装置

摘要

一种IB-IIIA-VIA2化合物半导体薄膜之制造装置，包括：一反应腔体；一压力控制单元，连结于该反应腔体，以控制该反应腔体内之压力；一基座，设置于该反应腔体内，以承载至少一基板，其中该基板包括IB族元素与IIIA族元素；一第一VIA族元素供应单元，连结于该反应腔体，以提供经汽化之第一VIA族元素至该反应腔体内；以及一电浆单元，位于该反应腔体内，于电浆单元内可产生一高能量密度电浆区，其中于反应进行时，该反应腔体内之该经汽化之第一VIA族元素于通过该高能量密度电浆区后产生了离子化之第一VIA族元素并扩散进入该基板上以形成一IB-IIIA-VIA2化合物半导体薄膜。