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经营范围
发明名称
半导体装置及其之制造方法
摘要
本发明系提供半导体装置及其制造方法,该半导体装置系藉由将熔丝元件层积在阻抗体上部,且以使熔丝元件之被雷射切断的区域下之阻抗体呈凹形状的方式,而形成小面积且切断熔丝元件时不会对阻抗体造成损伤、各元件间产生的接触电阻等亦小、安定的半导体装置。
申请公布号
TWI417991
申请公布日期
2013.12.01
申请号
TW097104651
申请日期
2008.02.05
申请人
精工电子有限公司 日本
发明人
北岛裕一郎
分类号
H01L21/822;H01L27/04
主分类号
H01L21/822
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址
日本
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