矽锗碳半导体结构

摘要

依据一或多项具体实施例，一种半导体结构包括一半导体基板、在该半导体基板之上的一第一半导体材料及在该第一半导体材料之一部分之上的一第二半导体材料，其中该第二半导体材料包含矽锗碳(SiGeC)，且其中该第一半导体材料系一矽磊晶层。该半导体结构进一步包括：一主动元件，其中该主动元件之一部分系形成于该第二半导体材料中；以及一介电结构，其自该第一半导体材料之第一表面延伸穿过该第一半导体材料至该半导体基板中。说明并主张其他具体实施例。