半导体装置

摘要

提供于包含使用相变化材料之记忆格的半导体装置中，可使规范写入速度的设定动作高速化之技术。采用以下手段：施加于相变化材料之设定脉冲电压设为2段，相变化材料之温度藉由第1段电压设为核成长速度最快之温度，于第2段脉冲设为结晶成长最快之温度，使相变化材料不融解而可以固相成长的手段。又，采用：施加于相变化材料之2段脉冲电压，系藉由可减少汲极电流变动之施加于字元线之2段电压予以控制的手段。