发明名称 于基板上直接形成太阳能发电薄膜之太阳能电池
摘要 本发明所揭示之太阳能电池,系包含形成于基材上之半导体薄膜、形成于半导体薄膜上之透明导电膜、及覆盖透明导电膜的上面之氮化物系之水分扩散防止膜。水分扩散防止膜较佳系由氮化矽膜与碳氮化矽膜之至少一者所构成。
申请公布号 TWI418044 申请公布日期 2013.12.01
申请号 TW098104263 申请日期 2009.02.11
申请人 国立大学法人东北大学 日本 发明人 若山惠英;茂山和基;大见忠弘;寺本章伸
分类号 H01L31/048;H01L31/0216;E04D13/18 主分类号 H01L31/048
代理机构 代理人 林秋琴 台北市大安区敦化南路1段245号8楼;何爱文 台北市大安区敦化南路1段245号8楼
主权项
地址 日本