发明名称 |
半导体构件 |
摘要 |
一种半导体构件及制造此半导体构件的方法,该半导体构件的电阻性质与温度关系密切。此电阻性质系由于该半导体构件的特殊多层式构造而得到者,其中有一层设计成使得(例如)在一n-掺杂的领域中存在数个p-掺杂的领域,该p-掺杂的领域在一边利用镀金属层短路。举例而言,此半导体构件可用于减少电流尖峰,其中该半导体元件再整合到一导体中。在冷的状态,该半导体构件具高电阻,此电阻在半导体构件由于流过的电流而发热后,显着地变较小。 |
申请公布号 |
TWI418041 |
申请公布日期 |
2013.12.01 |
申请号 |
TW094132748 |
申请日期 |
2005.09.22 |
申请人 |
罗伯特博斯奇股份有限公司 德国 |
发明人 |
彼得 弗洛尔斯;亚尔弗瑞德 顾尔拉赫;彼得 乌尔巴赫;渥夫刚 法勒;渠宁;克劳斯 黑耶斯 |
分类号 |
H01L29/8605 |
主分类号 |
H01L29/8605 |
代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
主权项 |
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地址 |
德国 |