发明名称 半导体构件
摘要 一种半导体构件及制造此半导体构件的方法,该半导体构件的电阻性质与温度关系密切。此电阻性质系由于该半导体构件的特殊多层式构造而得到者,其中有一层设计成使得(例如)在一n-掺杂的领域中存在数个p-掺杂的领域,该p-掺杂的领域在一边利用镀金属层短路。举例而言,此半导体构件可用于减少电流尖峰,其中该半导体元件再整合到一导体中。在冷的状态,该半导体构件具高电阻,此电阻在半导体构件由于流过的电流而发热后,显着地变较小。
申请公布号 TWI418041 申请公布日期 2013.12.01
申请号 TW094132748 申请日期 2005.09.22
申请人 罗伯特博斯奇股份有限公司 德国 发明人 彼得 弗洛尔斯;亚尔弗瑞德 顾尔拉赫;彼得 乌尔巴赫;渥夫刚 法勒;渠宁;克劳斯 黑耶斯
分类号 H01L29/8605 主分类号 H01L29/8605
代理机构 代理人 桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项
地址 德国