具有射频相位控制之感应耦合电浆反应器及其使用方法

摘要

本发明之实施例大体上提供具基材RF偏压之感应耦合电浆(ICP)反应器，其能控制ICP源(第一RF源)与基材偏压(第二RF源)间的RF相位差，以做为用于半导体产业的电浆处理反应器。RF相位差控制对制程微调来说提供了强大的环节。例如，控制RF相位差可用来控制一或多个平均蚀刻速度、蚀刻速度均匀度、蚀刻速度偏斜、临界尺寸(CD)均一性、CD偏斜、CD范围、自行DC偏压控制和腔室匹配。