| 摘要 |
本发明提供一种微电子总成及形成该微电子总成之方法。该方法包括：在一具有对立之第一表面(22)与第二表面(24)之半导体基板(20)中形成第一横向蚀刻停止壁(44)与第二横向蚀刻停止壁(46)。在该半导体基板(20)之该第一表面(22)上形成一电感器(58)；以及形成一穿过该基板之该第二表面(24)之孔洞(60)，以曝露介于该第一横向蚀刻停止壁(44)与该第二横向蚀刻停止壁之间的该基板(20)。透过该蚀刻孔洞(60)等向性地蚀刻介于该第一横向蚀刻停止壁(44)与该第二横向蚀刻停止壁(46)之间的该基板(20)，以在该半导体基板(20)内形成一空穴(66)。在该蚀刻孔洞上形成一密封层(70)，以密封该空穴。 |
