发明名称 |
具有参考胞元资料读取功能的非依电性多位准记忆体胞元 |
摘要 |
本揭露之实施例提供用于具有参考胞元之资料读取功能的非依电性多位准记忆体胞元资料撷取的方法、装置、模组及系统。一种方法包括下列步骤:将被耦接到一选定字组线的多个资料胞元中的至少一个资料胞元规划至对应于一目标状态的一目标资料临限电压(Vt)位准;将被耦接到该选定字组线的多个参考胞元中的至少一个参考胞元规划至一目标参考Vt位准,该等参考胞元与该等资料胞元交错;根据该至少一个参考胞元的一资料读取来决定一参考状态;以及根据该至少一个参考胞元的一变化来改变读取自该至少一个资料胞元中的一状态。 |
申请公布号 |
TWI417794 |
申请公布日期 |
2013.12.01 |
申请号 |
TW097114835 |
申请日期 |
2008.04.23 |
申请人 |
美光科技公司 美国 |
发明人 |
沙林 维雪尔;许荣生;卢帕佛 法兰基F. ROOHPARVAR, FRANKIE F. US |
分类号 |
G06K19/07;G06F12/00 |
主分类号 |
G06K19/07 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |