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发明名称
镀膜件及其制造方法
摘要
本发明提供一种镀膜件,包括基体及藉由磁控溅射镀膜法形成于基体上的Si-B-C-N陶瓷层,该Si-B-C-N陶瓷层为非晶态层,该Si-B-C-N陶瓷层中Si的质量百分含量为30~60%,B的质量百分含量为10~20%,C的质量百分含量为10~20%,N的质量百分含量为20~30%。该镀膜件具有良好的高温抗氧化性。本发明还提供一种上述镀膜件的制造方法。
申请公布号
TWI417409
申请公布日期
2013.12.01
申请号
TW100115406
申请日期
2011.05.03
申请人
鸿海精密工业股份有限公司 新北市土城区自由街2号
发明人
张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;张娟
分类号
C23C14/34
主分类号
C23C14/34
代理机构
代理人
主权项
地址
新北市土城区自由街2号
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