发明名称 画素结构
摘要 本发明提供一种画素结构,包括:扫描线及资料线,两者彼此交错并且电绝缘;闸极,与扫描线电性连接;源极,至少部分位于闸极上并连接至资料线;汲极,至少部分位于闸极上并与源极对向配置;画素电极,包括一主体部和一延伸部,主体部与汲极电性连接,延伸部与主体部电性相连,且延伸部与闸极及汲极部份重叠。
申请公布号 TWI417626 申请公布日期 2013.12.01
申请号 TW099138514 申请日期 2010.11.09
申请人 深超光电(深圳)有限公司 中国 发明人 柳智忠;曹岩
分类号 G02F1/136 主分类号 G02F1/136
代理机构 代理人 虞彪 台北市中山区长安东路1段21号3楼
主权项
地址 中国