Wiederherstellung einer hydrophoben Oberfläche empfindlicher dielektrischer Materialen mit kleinem &egr; in Mikrostrukturbauelementen

摘要

Verfahren zur Herstellung eines dielektrischen Materials mit kleinem &egr; über einem Substrat (101), wobei das Verfahren umfasst: Bilden eines Silizium und Sauerstoff enthaltenden dielektrischen Materials (110) über dem Substrat (101); Ausführen einer Oberflächenbehandlung (120) an zumindest einem Bereich einer Oberfläche (110s) des Silizium und Sauerstoff enthaltenden dielektrischen Materials (110) auf der Grundlage von Hexamethylcyclotrisilazan und/oder Octamethylcyclotetrasilazan, um eine Dielektrizitätskonstante zumindest in dem Bereich des Silizium und Sauerstoff enthaltenden dielektrischen Materials (110) zu verringern; und nach dem Ausführen der Oberflächenbehandlung (120): In Gang setzen einer Dimerisationsreaktion oder einer Polymerisationsreaktion durch Zuführen eines oder mehrerer chemischer Mittel zu dem mindestens einen Bereich der Oberfläche (110s), um die chemische Stabilität des Bereichs der Oberfläche (110s) zu erhöhen.