| 发明名称 |
Abschlussanordnung für vertikalen MOSFET |
| 摘要 |
<p>Repräsentative Ausführungen von Vorrichtungen und Techniken stellen eine Abschlussanordnung für eine Transistorstruktur bereit. Der Umfang einer Transistorstruktur kann eine vertiefte Fläche mit Elementen enthalten, die zur Verbesserung der Leistung der Transistoren bei oder nahe bei einem Durchbruch angeordnet sind.</p> |
| 申请公布号 |
DE102013105134(A1) |
申请公布日期 |
2013.11.28 |
| 申请号 |
DE201310105134 |
申请日期 |
2013.05.17 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG |
发明人 |
WOOD, ANDREW;ZUNDEL, MARKUS |
| 分类号 |
H01L29/06;H01L21/762;H01L21/765;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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