| 摘要 |
Ein SRAM-Array ist aus einer Vielzahl aus Gratleitungen gebildeter FinFETs ausgebildet. Jede Gratleitung ist in einem Substrat ausgebildet, wobei ein unterer Abschnitt der Gratleitung von einem Isolationsbereich umgeben ist, und wobei sich ein oberer Abschnitt der Gratleitung oberhalb einer Oberfläche des Isolationsbereiches erstreckt. In einer ersten Querschnittsansicht des SRAM-Arrays weist jede Gratleitung eine rechteckige Form auf. In einer zweiten Querschnittsansicht weisen die Anschlüsse jeder Gratleitung eine angeschrägte Form auf. |
