Höhere Stabilität für Transistoreigenschaften bei früh gebildetem High-k/Metallgate

摘要

Bei der Bildung komplexer Transistoren auf Basis einer High-k/Metallgate-Elektrodenstruktur und einer verspannungsinduzierenden Halbleiterverbindung wird eine exzellente Nassreinigungsprozessstrategie nach einem Bilden von Ausnehmungen angewendet, um übermäßige Modifizierungen empfindlicher Gatematerialien, wie z. B. High-k-Dielektrikumsmaterialien, Metall-aufweisende Elektrodenmaterialien und dergleichen, und eine Modifizierung einer die Schwellwertspannung anpassenden Halbleiterverbindung zu verringern. Die übermäßige Abhängigkeit der Schwellwertspannung von Transistoren mit unterschiedlicher Breite kann im Vergleich zu herkömmlichen Strategien bedeutend reduziert werden.