发明名称 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Kontaktdurchführungen mit unterschiedlicher Größe durch Aufteilen des Kontaktlochstrukturierungsprozesses
摘要 Beim Herstellen eines komplexen Metallisierungssystems, in welchem Kontaktdurchführungen mit unterschiedlicher lateraler Größe vorzusehen sind, wird eine aufgeteilte Strukturierungssequenz angewendet. Zu diesem Zweck wird ein Lithographieprozess speziell für die kritischen Kontaktlochöffnungen gestaltet und nachfolgend wird ein zweiter Strukturierungsprozess angewendet, um die Kontaktdurchführungen mit größerer lateraler Abmessung herzustellen, während die kritischen Kontaktdurchführungen maskiert sind. Auf diese Weise können bessere Prozessbedingungen für jeden der Strukturierungsvorgänge erreicht werden.
申请公布号 DE102009046242(B4) 申请公布日期 2013.11.28
申请号 DE20091046242 申请日期 2009.10.30
申请人 GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MODULE ONE LTD. LIABILITYCOMPANY & CO. KG;GLOBALFOUNDRIES INC. 发明人 FEUSTEL, FRANK;WERNER, THOMAS;FROHBERG, KAI
分类号 H01L21/768;H01L21/311 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人
主权项
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