发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Kontaktdurchführungen mit unterschiedlicher Größe durch Aufteilen des Kontaktlochstrukturierungsprozesses |
摘要 |
Beim Herstellen eines komplexen Metallisierungssystems, in welchem Kontaktdurchführungen mit unterschiedlicher lateraler Größe vorzusehen sind, wird eine aufgeteilte Strukturierungssequenz angewendet. Zu diesem Zweck wird ein Lithographieprozess speziell für die kritischen Kontaktlochöffnungen gestaltet und nachfolgend wird ein zweiter Strukturierungsprozess angewendet, um die Kontaktdurchführungen mit größerer lateraler Abmessung herzustellen, während die kritischen Kontaktdurchführungen maskiert sind. Auf diese Weise können bessere Prozessbedingungen für jeden der Strukturierungsvorgänge erreicht werden.
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申请公布号 |
DE102009046242(B4) |
申请公布日期 |
2013.11.28 |
申请号 |
DE20091046242 |
申请日期 |
2009.10.30 |
申请人 |
GLOBALFOUNDRIES DRESDEN MODULE ONE LTD. LIABILITYCOMPANY & CO. KG;GLOBALFOUNDRIES INC. |
发明人 |
FEUSTEL, FRANK;WERNER, THOMAS;FROHBERG, KAI |
分类号 |
H01L21/768;H01L21/311 |
主分类号 |
H01L21/768 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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