| 摘要 |
<p>Es werden Mehrschicht-Integrationstechniken für integrierte Schaltkreise bereitgestellt. In einem Aspekt wird ein Verfahren zum Herstellen eines integrierten Schaltkreises bereitgestellt. Das Verfahren beinhaltet die folgenden Schritte. Es wird ein Substrat bereitgestellt. Auf dem Substrat wird eine Vielzahl von Zwischenverbindungsschichten gebildet, die in einem Stapel angeordnet sind, wobei jede Zwischenverbindungsschicht eine oder mehrere Metallleitungen aufweist, wobei die Metallleitungen in einer gegebenen der Zwischenverbindungsschichten größer als die Metallleitungen in den Zwischenverbindungsschichten, wenn vorhanden, über der gegebenen Zwischenverbindungsschicht in dem Stapel sind und wobei die Metallleitungen in der gegebenen Zwischenverbindungsschicht kleiner als die Metallleitungen in den Zwischenverbindungsschichten, wenn vorhanden, unter der gegebenen Zwischenverbindungsschicht in dem Stapel sind. Auf einer obersten Schicht des Stapels wird wenigstens ein Transistor gebildet.</p> |
