| 摘要 |
<p>Eine Photovoltaikvorrichtung enthält ein Siliziumsubstrat (101) eines ersten Leitungstyps, das eine Verunreinigungsdiffusionsschicht (102) auf einer Oberflächenseite enthält, welche Verunreinigungsdiffusionsschicht ein in diese diffundiertes Verunreinigungselement eines zweiten Leitungstyps hat; eine lichtempfangsflächenseitige Elektrode (105), die mehrere Gitterelektroden enthält, die elektrisch mit der Verunreinigungsdiffusionsschicht (102) verbunden und in einem gewissen Abstand auf der einen Oberflächenseite des Siliziumsubstrats (101) angeordnet sind; und eine rückflächenseitige Elektrode (104), die auf der anderen Oberflächenseite des Siliziumsubstrats (101) gebildet ist, wobei die Verunreinigungsdiffusionsschicht (102) eine erste Verunreinigungsdiffusionsschicht (102a) enthaltend das Verunreinigungselement mit einer ersten Konzentration und eine zweite Verunreinigungsdiffusionsschicht (102b) enthaltend das Verunreinigungselement mit einer zweiten Konzentration, die geringer als die erste Konzentration ist, enthält, und wobei die erste Verunreinigungsdiffusionsschicht (102a) so gebildet ist, dass eine Richtung senkrecht zu einer Längsrichtung der Gitterelektroden in der lichtempfangsflächenseitigen Elektrode (105) eine Längsrichtung hiervon ist, und so, dass ein Flächenverhältnis der ersten Verunreinigungsdiffusionsschicht (102a) zu einem Bandbereich gleich oder geringer als 50% ist, eine Breite des Bandbereichs gleichförmig und identisch mit einer maximalen Breite der ersten Verunreinigungsdiffusionsschicht in einer Richtung parallel zu der Längsrichtung der Gitterelektroden ist, eine Länge des Bandbereichs in einer Längsrichtung identisch mit einer Länge der ersten Verunreinigungsdiffusionsschicht (102a) in der Längsrichtung der ersten Verunreinigungsdiffusionsschicht (102a) ist.</p> |
