| 摘要 |
<p>Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beschreiben Einrichtungen, Verfahren und Systeme einer Vorrichtung wie etwa eines Transistors. Die Vorrichtung weist auf: eine auf einem Substrat angeordnete Pufferschicht, wobei die Pufferschicht so eingerichtet ist, dass sie als ein Kanal des Transistors dient und Gallium (Ga) und Stickstoff (N) aufweist, eine auf der Pufferschicht angeordnete Sperrschicht, wobei die Sperrschicht so eingerichtet ist, dass sie den Kanal mit beweglichen Ladungsträgern versorgt und Aluminium (Al), Gallium (Ga) und Stickstoff (N) aufweist, eine auf der Sperrschicht angeordnete Ladungs-Induzierschicht, wobei die Ladungs-Induzierschicht so eingerichtet ist, dass sie Ladung in den Kanal induziert und Aluminium (Al) und Stickstoff (N) aufweist, und einen in der Ladungs-Induzierschicht angeordneten und mit der Sperrschicht gekoppelten Gate-Anschluss zum Steuern des Kanals. Auch andere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht sein.</p> |
