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Halbleiterbauelement (50), umfassend: einen Träger (22); einen an dem Träger (22) angebrachten ersten Chip (26); ein mit dem ersten Chip (26) und mit dem Träger (22) gekoppeltes strukturiertes Dielektrikum (54); ein elektrisch mit dem ersten Chip (26) verbundenes leitendes Element (32), das sich über einen Teil des strukturierten Dielektrikums (54) erstreckt, wobei das leitende Element (32) eine gesinterte Region umfasst; mindestens einen an dem Träger (22) angebrachten zweiten Chip (28); wobei das leitende Element (32) elektrisch mit dem zweiten Chip (28) verbunden ist, und wobei der erste Chip (26) einen Logikchip umfasst und der zweite Chip (28) einen Leistungstransistor umfasst, der dünner als der Logikchip ist, und das leitende Element (32) eine gesinterte oberflächenkonformierende elektrische Verbindung umfasst, die sich zwischen dem Logikchip und dem Leistungstransistor über dem nichtplanaren strukturierten Dielektrikum (54) erstreckt, wobei das leitende Element (32) in einem in dem strukturierten Dielektrikum (54) gebildeten Durchgangsloch konform abgeschieden ist.
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