| 发明名称 | 台阶状氧化层Au/SiO<sub>2</sub>/Si纳米柱存储器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件的制备方法，涉及半导体存储器。通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状结构；将刻蚀后的Si片标准清洗后，采用干法氧化方法，在凹槽阵列的Si衬底上氧化一层致密的SiO2作为存储器的电子隧穿层；在台阶状的表面覆盖有SiO2薄层的样品上溅射Au层，采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au量子点；以Au量子点为掩膜版，采用高能Ar离子刻蚀方法刻蚀得到Au/SiO2/Si纳米柱结构；采用电子束蒸发工艺在Au/SiO2/Si纳米柱结构的基础上沉积高k介质层，最后蒸镀金属上电极和下电极，获得台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件。 | ||
| 申请公布号 | CN103413787A | 申请公布日期 | 2013.11.27 |
| 申请号 | CN201310383280.4 | 申请日期 | 2013.08.29 |
| 申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 陈松岩;亓东锋;刘翰辉;李成 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人 | 马应森;戴深峻 |
| 主权项 | 台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1）通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状结构；2）将刻蚀后的Si片标准清洗后，采用干法氧化方法，在凹槽阵列的Si衬底上氧化一层致密的SiO2作为存储器的电子隧穿层；3）在台阶状的表面覆盖有SiO2薄层的样品上溅射Au层，采用快速热退火方法使Au层团聚形成Au量子点；4）以Au量子点为掩膜版，采用高能Ar离子刻蚀方法刻蚀得到Au/SiO2/Si纳米柱结构；5）采用电子束蒸发工艺在步骤4）获得的Au/SiO2/Si纳米柱结构的基础上沉积高k介质层，最后蒸镀金属上电极和下电极，获得台阶状氧化层Au/SiO2/Si纳米柱存储器件。 | ||
| 地址 | 361005 福建省厦门市思明南路422号 | ||