| 发明名称 | 感测存储器单元 | ||
| 摘要 | 本发明包括用于操作存储器单元的方法、装置、模块及系统。一个方法实施例包括将斜变电压(503)施加到存储器单元的控制栅极(505)及施加到模/数转换器(ADC)(507)。一种方法的前述实施例还包括至少部分地响应于所述斜变电压何时致使所述存储器单元使感测电路跳脱(511)而检测所述ADC的输出(515)。 | ||
| 申请公布号 | CN101889314B | 申请公布日期 | 2013.11.27 |
| 申请号 | CN200880119378.6 | 申请日期 | 2008.12.01 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 维沙尔·萨林;辉俊胜;弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔;朱利奥-朱塞佩·马罗塔 |
| 分类号 | G11C16/26(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C16/30(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 沈锦华 |
| 主权项 | 一种用于感测存储器单元(311‑15)的方法，其包含：将斜变电压(503)施加到所述存储器单元的控制栅极(505)；将所述斜变电压(503)施加到模/数转换器(ADC)(507)；至少部分地响应于所述斜变电压致使所述存储器单元传导(511)而检测所述ADC的输出(515)将检测出的所述ADC的输出与同所述存储器单元相关联的数据锁存器中的数据进行比较(513)；以及至少部分地响应于所述ADC的所述所检测的输出与所述数据锁存器中的数据的所述比较(513)指示所述存储器单元已达到所要阈值电压(Vt)电平(515)而抑制所述存储器单元编程(517)。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||