发明名称 |
阵列基板及其制造方法、显示装置 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种阵列基板及其制造方法,以及设有该阵列基板的显示装置,属于显示技术领域。解决了现有技术中GOA区域的边缘会形成向下开口的倒角,影响GOA区域中源漏极金属与栅极金属之间电连接的稳定性的技术问题。该阵列基板,包括显示区域和GOA区域,在所述GOA区域,从下至上依次形成有栅极金属、栅绝缘层、有源层、过渡层、源漏极金属,且开设有贯穿所述过渡层、所述有源层和所述栅绝缘层的过孔,所述源漏极金属通过所述过孔与所述栅极金属电连接;其中,所述过渡层的刻蚀速率大于所述有源层的刻蚀速率。本发明应用于OLED面板、液晶电视、液晶显示器、手机、平板电脑等显示装置。 |
申请公布号 |
CN103413811A |
申请公布日期 |
2013.11.27 |
申请号 |
CN201310310000.7 |
申请日期 |
2013.07.23 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
李田生;郭建;谢振宇 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 |
代理人 |
申健 |
主权项 |
一种阵列基板,包括显示区域和GOA区域,其特征在于:在所述GOA区域,从下至上依次形成有栅极金属、栅绝缘层、有源层、过渡层、源漏极金属,且开设有贯穿所述过渡层、所述有源层和所述栅绝缘层的过孔,所述源漏极金属通过所述过孔与所述栅极金属电连接;其中,所述过渡层的刻蚀速率大于所述有源层的刻蚀速率。 |
地址 |
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区西环中路8号 |