| 发明名称 | 一种晶体硅太阳电池及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及太阳能光伏技术领域，公开了一种晶体硅太阳电池及其制备方法。所述晶体硅太阳电池，包括第一导电类型晶体硅层；覆盖所述第一导电类型晶体硅层正面的第二导电类型晶体硅层；覆盖所述第二导电类型晶体硅层的遂穿介质膜层；位于遂穿介质膜层上的至少一个金属前电极和减反射膜层；其中，所述遂穿介质膜层的厚度范围为0.1nm～10nm。在本发明技术方案中，遂穿介质膜层既能对第一导电类型晶体硅正面钝化，又能传递载流子，因此降低了饱和暗电流密度，提高了太阳电池的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103413838A | 申请公布日期 | 2013.11.27 |
| 申请号 | CN201310310926.6 | 申请日期 | 2013.07.23 |
| 申请人 | 新奥光伏能源有限公司 | 发明人 | 毛卫平;谷士斌;田小让;王进;杨荣;孟原;郭铁;李立伟 |
| 分类号 | H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/078(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 杜秀科 |
| 主权项 | 一种晶体硅太阳电池，其特征在于，包括：第一导电类型晶体硅层（1）；覆盖所述第一导电类型晶体硅层（1）正面的第二导电类型晶体硅层（2）；覆盖所述第二导电类型晶体硅层（2）的遂穿介质膜层（3）；位于遂穿介质膜层（3）上的至少一个金属前电极（4）和减反射膜层（5）；其中，所述遂穿介质膜层（3）的厚度范围为0.1nm～10nm。 | ||
| 地址 | 065001 河北省廊坊市经济技术开发区华祥路106号 | ||