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一种低温漂欠压锁定电路，包括十个P型MOS管、十一个N型MOS管、二个双极型PNP晶体管、四十个电阻、二个电容、二个反相器和一个与非门，其特征在于，所述第一P型MOS管MP1的漏极，电阻R23的一端与电阻R24的一端连接；电阻R23的另一端，电阻R24的另一端与电阻R25的另一端连接；电阻R25的一端与电阻R26的一端连接；电阻R26的另一端，电阻R27的一端与电阻R33的一端连接；电阻R27的另一端与电阻R28的一端连接；电阻R28的另一端与电阻R29的一端连接；电阻R29的另一端与电阻R30的一端连接；电阻R30的另一端与电阻R31的一端连接；电阻R31的另一端与电阻R32的一端连接；电阻R26的另一端与电阻R33的一端连接；电阻R33的另一端与电阻R34的一端连接；电阻R34的另一端与电阻R35的一端连接；电阻R36的另一端与电阻R37的一端连接；电阻R37的另一端与电阻R38的一端连接；电阻R32的另一端，电阻R39的一端与第一N型MOS管MN1的栅极连接；电阻R39的另一端与双极型PNP晶体管Q1的发射极连接；电阻R38的另一端，双极型PNP晶体管Q2的发射极与第二N型MOS管MN2的栅极连接。 |
