发明名称 | 电位转换电路 | ||
摘要 | 一种电位转换电路,使操作于第一电位区间内的输入信号转换成操作于第二电位区间内的输出信号。所采用的是一漏电流阻绝电路,以输入端耦接该输入信号且以输出端耦接该输出信号。漏电流阻绝电路包括多级P沟道晶体管以及一N沟道晶体管。每一级P沟道晶体管的源极耦接下一级P沟道晶体管的栅极。第一级P沟道晶体管的栅极耦接该输入信号。最后一级P沟道晶体管的源极耦接一电源,且漏极耦接该漏电流阻绝电路的该输出端。N沟道晶体管以栅极耦接该输入信号、源极耦接一低电平电位、且以漏极耦接该漏电流阻绝电路的输出端。 | ||
申请公布号 | CN102075176B | 申请公布日期 | 2013.11.27 |
申请号 | CN201110006563.8 | 申请日期 | 2011.01.13 |
申请人 | 威盛电子股份有限公司 | 发明人 | 李永胜;朱光达 |
分类号 | H03K19/0185(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/0185(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 钱大勇 |
主权项 | 一种电位转换电路,用以将操作于一第一电位区间内的一输入信号转换成操作于一第二电位区间内的一输出信号,该电位转换电路包括:一漏电流阻绝电路,具有一输入端耦接该输入信号且具有一输出端耦接该输出信号,其中该漏电流阻绝电路包括:多级P沟道晶体管,其中每一级上述P沟道晶体管的源极耦接其下一级上述P沟道晶体管的栅极,第一级上述P沟道晶体管的栅极耦接该输入信号,最后一级上述P沟道晶体管的源极耦接一电源,且最后一级上述P沟道晶体管的漏极耦接该漏电流阻绝电路的该输出端,其中,上述多级P沟道晶体管中,除了最后一级以外的每一级P沟道晶体管的漏极耦接低电平电位;以及一N沟道晶体管,具有一栅极耦接该输入信号、一源极耦接一低电平电位、以及一漏极耦接该漏电流阻绝电路的该输出端。 | ||
地址 | 中国台湾台北县 |