催化化学气相成膜装置、使用该装置的成膜方法和催化剂体的表面处理方法

摘要

本发明提供一种在进行催化剂体CVD法的成膜装置中，减轻催化剂体的伸长引起的问题，运行成本、生产性方面优异的结构。具备：能够将内部维持为减压状态的腔室（1）；将原料气体导入腔室的原料气体导入通路（32、33a）；以由气体导入通路导入的原料气体接触表面的方式设置于腔室（1）内、在钽线的表面形成有硼化物层的催化剂体（4）；为了在催化剂体（4）的表面形成硼化物层，向腔室（1）导入乙硼烷气体的表面层形成用气体导入通路（36、33b）；和对催化剂体（4）施加能量而使催化剂体为规定的温度的电源部（5），停止原料气体的导入，一边从表面层形成用气体导入通路导入乙硼烷气体，一边对催化剂体（4）进行通电加热，在催化剂体（4）的硼化物层的表面进一步重叠形成硼化物。

主权项

一种成膜方法，其特征在于：使用催化化学气相成膜装置，所述催化化学气相成膜装置具备：能够将内部维持为减压状态的腔室；将规定的原料气体导入所述腔室的原料气体导入通路；以由所述气体导入通路导入的原料气体接触表面或通过表面附近的方式设置于所述腔室内、在钽线的表面具有硼化物层的催化剂体；向所述腔室导入含有硼的气体的再硼化物层形成用气体导入通路；和对所述催化剂体施加能量而使所述催化剂体为规定的温度的电源部，该成膜方法具备：一边从所述再硼化物层形成用气体导入通路导入所述含有硼的气体，一边对所述催化剂体进行加热，对所述催化剂体的硼化物层的表面进行再硼化处理的硼化处理步骤；和使用再硼化处理后的所述催化剂体，一边从所述原料气体导入通路向所述腔室导入原料气体，一边对所述催化剂体进行加热，在搬入至所述腔室内的基板的表面上成膜，从所述腔室内搬出基板的成膜步骤。