发明名称 一种过流检测电路
摘要 本发明公开了一种过流检测电路,包括用于采样受测系统工作电流的检流电阻(RSENSE)和设置有过流阀值的电压比较器(U2),其特征在于:所述的过流检测电路还包括电流源(IB),电压源(Vcc),过流阀值设置电阻(RSET),延时电容(COCT),泄放电阻(RDIS),第一N型MOS管(M2A),以及分别构成电流镜的第二N型MOS管(M2B)和第三N型MOS管(M2C)、第四N型MOS管(M3A)和第五N型MOS管(M3B)、第一P型MOS管(M1A)和第二P型MOS管(M1B)。本发明的过流检测电路提高检测受测系统过流故障的响应速度。
申请公布号 CN103412180A 申请公布日期 2013.11.27
申请号 CN201310268507.0 申请日期 2013.06.28
申请人 广东电网公司电力科学研究院;东莞赛微微电子有限公司 发明人 孙卫明;赵伟;张永旺;罗敏;赵建华
分类号 G01R19/165(2006.01)I 主分类号 G01R19/165(2006.01)I
代理机构 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人 周克佑
主权项 一种过流检测电路,包括用于采样受测系统工作电流的检流电阻(RSENSE)和设置有过流阀值的电压比较器(U2),其特征在于:所述的过流检测电路还包括电流源(IB),电压源(Vcc),过流阀值设置电阻(RSET),延时电容(COCT),泄放电阻(RDIS),第一N型MOS管(M2A),以及分别构成电流镜的第二N型MOS管(M2B)和第三N型MOS管(M2C)、第四N型MOS管(M3A)和第五N型MOS管(M3B)、第一P型MOS管(M1A)和第二P型MOS管(M1B);它们的连接关系如下:所述第一N型MOS管(M2A)、第二N型MOS管(M2B)和第三N型MOS管(M2C)的栅极相连接,该连接点连接到第一N型MOS管(M2A)的漏极并通过所述电流源(IB)接地,所述第二N型MOS管(M2B)与第一P型MOS管(M1A)的漏极相连接,所述第三N型MOS管(M2C)与第二P型MOS管(M1B)的漏极相连接,所述第一P型MOS管(M1A)和第二P型MOS管(M1B)的栅极相连接并连接到第一P型MOS管(M1A)的漏极,第一P型MOS管(M1A)的源极连接到所述检流电阻(RSENSE)的一端,第二P型MOS管(M1B)的源极连接到所述过流阀值设置电阻(RSET)的一端,所述检流电阻(RSENSE)和过流阀值设置电阻(RSET)的另一端相连接并接地;所述第四N型MOS管(M3A)和第五N型MOS管(M3B)的栅极相连接并连接到第二P型MOS管(M1B)的漏极,第四N型MOS管(M3A)的漏极与第二P型MOS管(M1B)的源极相连接,第五N型MOS管(M3B)的漏极与所述延时电容(COCT)的一端相连接并连接到所述电压比较器(U2)的输入端,所述延时电容(COCT)的另一端连接到所述检流电阻(RSENSE)和过流阀值设置电阻(RSET)的连接点,所述泄放电阻(RDIS)与延时电容(COCT)相并联;所述电压源(Vcc)分别连接到每个N型MOS管的源极,为过流检测电路提供工作电压。
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