半导体器件和使用应力记忆技术工艺制造半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种使用SMT工艺制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成栅氧化层和栅极；沉积侧墙氧化层和侧墙氮化硅层，并对侧墙氮化硅层进行刻蚀；在PMOS区域上形成PR层，进行N+离子注入；以PR层为掩膜，去除NMOS区域上的侧墙氧化层；去除PMOS区域上的PR层；在NMOS区域上形成PR层，进行P+离子注入，去除NMOS区域的PR层；形成缓冲氧化层和高应力氮化硅层；去除PMOS区域上的高应力氮化硅层；进行尖峰退火工艺；去除NMOS区域上的高应力氮化硅层。本发明还公开了一种半导体器件。通过使用本发明所提供的半导体器件和方法，可改善半导体器件的电学性能，提高半导体器件的良率，降低制造成本。

主权项

一种使用应力记忆技术工艺制造半导体器件的方法，该方法包括：在具有PMOS区域和NMOS区域的半导体衬底上形成栅氧化层和栅极；在所述栅氧化层和栅极上依次沉积侧墙氧化层和侧墙氮化硅层，并对侧墙氮化硅层进行垂直于半导体衬底表面方向的定向刻蚀；在PMOS区域上形成光刻胶层，对NMOS区域进行N+离子注入工艺；以所述光刻胶层为掩膜，去除NMOS区域上的侧墙氧化层，保留PMOS区域上的侧墙氧化层；去除PMOS区域上的光刻胶层；在NMOS区域上形成光刻胶层，对PMOS区域进行P+离子注入工艺；去除NMOS区域的光刻胶层，保留PMOS区域上的侧墙氧化层；在PMOS区域和NMOS区域上形成缓冲氧化层和高应力氮化硅层；去除PMOS区域上的高应力氮化硅层；进行尖峰退火工艺；去除NMOS区域上的高应力氮化硅层。