发明名称 |
喷淋头以及气相沉积反应腔 |
摘要 |
本发明公开了一种喷淋头以及包括所述喷淋头的气相沉积反应腔。所述反应腔包括气体反应区域,所述喷淋头邻近所述反应区域设置,所述喷淋头用于向所述反应区域输出反应气体,所述喷淋头包括相互隔离的III族源气体腔和V族源气体腔,所述V族源气体腔邻近所述反应区域设置,所述III族源气体腔设置于所述V族源气体腔背离所述反应区域的一侧;所述III族源气体腔和V族源气体腔之间至少具有两个相互隔离、层叠设置的冷却腔,所述的至少两个冷却腔用于对从所述V族源气体腔一侧传来的热量进行冷却。因此,能够使得喷淋头内的温度较为缓和的变化,降低对连接III族源气体腔的第一气管的影响,提高了喷淋头整体的可靠性。 |
申请公布号 |
CN103409731A |
申请公布日期 |
2013.11.27 |
申请号 |
CN201310360282.1 |
申请日期 |
2013.08.16 |
申请人 |
光垒光电科技(上海)有限公司 |
发明人 |
谭华强;黄允文;乔徽;林翔;苏育家 |
分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种应用于沉积III‑V族材料反应腔的喷淋头,所述反应腔包括气体反应区域,所述喷淋头邻近所述反应区域设置,所述喷淋头用于向所述反应区域输出反应气体,所述喷淋头包括相互隔离的III族源气体腔和V族源气体腔,所述V族源气体腔邻近所述反应区域设置,所述III族源气体腔设置于所述V族源气体腔背离所述反应区域的一侧;其特征在于,所述III族源气体腔和V族源气体腔之间至少具有两个相互隔离、层叠设置的冷却腔,所述的至少两个冷却腔用于对从所述V族源气体腔一侧传来的热量进行冷却。 |
地址 |
200050 上海市长宁区延安西路889号1106B室 |