LED外延的生长方法以及通过此方法获得的LED芯片

摘要

本发明提供了一种LED外延的生长方法，包括衬底的预处理、生长低温缓冲层、生长不掺杂Si的GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长电子阻挡层、生长高温P型GaN层以及退火步骤，其中生长高温P型GaN层步骤包括重复循环的15-20个生长周期，一个生长周期包括一个低压高温生长步骤和一个高压高温生长步骤，应用本发明的技术方案，具有以下优点：（1）通过低压高温生长步骤来提高P型GaN层的空穴浓度；（2）通过高压高温生长步骤来提高P型GaN层的空穴迁移率，因此，应用本发明的技术方案，空穴浓度以及空穴迁移率均得到提高，使得LED芯片亮度提高的同时驱动电压降低，具有很大的实用价值。

主权项

一种LED外延的生长方法，其特征在于：该方法在MOCVD反应室中进行，依次包括衬底的预处理、生长低温缓冲层、生长不掺杂Si的GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长电子阻挡层、生长高温P型GaN层以及退火步骤；所述生长高温P型GaN层的步骤包括：A、将反应室内的温度经过70s‑100s升高至1100‑1200℃，保持恒定；B、依次以低压高温生长步骤和高压高温生长步骤或者依次以高压高温生长步骤和低压高温生长步骤为一个周期，重复循环15‑20个周期，其中，所述低压高温生长步骤具体为：将反应室内的压力控制在150‑200mbar，生长厚度为3‑6nm的P型GaN层，其中Mg的掺杂浓度为9E+18‑1E+19atom/cm3；所述高压高温生长步骤具体为：将反应室内的压力控制在600‑800mbar，生长厚度为5‑10nm的P型GaN层，其中Mg的掺杂浓度为3E+18‑5E+18atom/cm3。