瞬态电压抑制器

摘要

一种瞬态电压抑制器可以包括具有耦合到VCC的阳极的硅可控整流器(SCR)。所述SCR可以包括PNP晶体管(Q2)和NPN晶体管(Q3)，所述PNP晶体管具有与NPN晶体管的集电极公用的基极，并且所述PNP晶体管具有与NPN晶体管的基极公用的集电极。所述TVS可以进一步包括具有阳极和阴极的齐纳二极管，其中阳极直接耦合到所述NPN晶体管的基极和/或阴极直接耦合到所述PNP晶体管的基极；以及额外的NPN晶体管(Q1)。所述SCR的阴极可以直接耦合到额外的NPN晶体管的基极，并且额外的NPN晶体管的集电极和发射极可以直接串联耦合在VCC与接地之间。

主权项

一种用于保护组件的瞬态电压抑制器，所述保护组件耦合到被配置成提供电源电压VCC的电源，所述瞬态电压抑制器包括：硅可控整流器(SCR)，其具有耦合到被配置成在VCC处供应电压的第一端子的阳极，所述硅可控整流器包括PNP晶体管(Q2)和NPN晶体管(Q3)，所述PNP晶体管具有与所述NPN晶体管的集电极公用的基极，并且所述PNP晶体管具有与所述NPN晶体管的基极公用的集电极；齐纳二极管，其具有阳极和阴极，其中所述阳极直接耦合到所述NPN晶体管的所述基极和/或所述阴极直接耦合到所述PNP晶体管的所述基极；以及额外的NPN晶体管(Q1)，其中所述硅可控整流器的所述阴极直接耦合到所述额外的NPN晶体管的基极，并且其中所述额外的NPN晶体管的集电极和发射极直接串联耦合在VCC与接地之间。